Description
دستگاه GD-OES – Profiler 2 از تکنیک تخلیه الکتریکی برای آنالیز مواد بهره می گیرد. این تکنیک از جمله روشهای آنالیز و شناسائی مواد می باشد و اساس آن بر برانگیختگی به کمک تخلیه الکتریکی و اندازهگیری شدت پرتو تابیده از عنصرهای موجود در نمونه استوار می باشد. برتری اساسی این روش نسبت به روشهای دیگر، توانایی آن در آنالیز لایهبهلایه از سطح به عمق است. این توانایی به ویژه در آنالیز پوشش ها امتیاز منحصربهفرد بهحساب میآید.
از جمله مزیتهای دستگاه GD-OES – Profiler 2 و روش تخلیه الکتریکی نسبت به دیگر روشها عبارتند از:
- سرعت یونپراکنی (Sputtering) بالا
- توانایی بالای آنالیز حجم، پروفیل عمق زیاد، پوششها، فیلمهای نازک و سطح
- آنالیز همزمان کلیه عناصر در سطح از جمله عناصر سبک
- دقت بالای اندازهگیری
- باریکبودن خطوط نشری و کاهش تداخل
- کمبودن گاز آرگون مورد نیاز (کمتر از یک لیتر در هر آنالیز)
- تمیزبودن سطح نمونه بعد از انجام آنالیز
- کم بودن استانداردهای مورد نیاز برای رسم نمودار
آنالیز کمی پروفيل عمقی عناصر با استفاده از GD-OES – Profiler 2 در مورد پوششهای زیر انجام میشود:
- پوششهای گالوانیکی
- کربندهی، نیتروژندهی و کربننیتروژندهی
- پوششهای CVD,PVD
- لایههای اکسیدی
- پوششهای نیمههادی
- ورقهای فولادی
- و غیره.
برای آشنایی بیشتر با محصولات مرتبط با آنالیزسطح می توانید روی این لینک کلیک نمایید.